Name: MOSFET Infineon FZ1200R45HL4BPSA1, VDSS 4500 V, ID 1,2 kA, Bandeja, 3elementos
Brand: Infineon
SKU: 277-198
Price: 2707.40 EUR
Availability: OutOfStock

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de Canal	P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,2 kA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	4500 V
	Tipo de Encapsulado	Bandeja
	Serie	FZ1200
	Tipo de Montaje	Montaje en panel
	Modo de Canal	Reducción
	Número de Elementos por Chip	3
	Material del transistor	Si

	Seleccionar todo
	Tipo de Canal P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 1,2 kA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 4500 V
	Tipo de Encapsulado Bandeja
	Serie FZ1200
	Tipo de Montaje Montaje en panel
	Modo de Canal Reducción
	Número de Elementos por Chip 3
	Material del transistor Si

Datasheet - FZ1200R45HL4BPSA1

COO (País de Origen):: HU

El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT IHV-B de 4500 V, 1200 A y 190 mm de interruptor único con IGBT4 Trench/Fieldtop, 4 diodos controlados por emisor y placa base aislada de AlSiC. La mejor solución para sus aplicaciones industriales.

Alta densidad de potencia
Para diseños de inversores compactos
Alojamiento normalizado

MOSFET Infineon FZ1200R45HL4BPSA1, VDSS 4500 V, ID 1,2 kA, Bandeja, 3elementos

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