MOSFET Infineon FZ1200R45HL4BPSA1, VDSS 4500 V, ID 1,2 kA, Bandeja, 3elementos

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Código RS:
277-198
Nº ref. fabric.:
FZ1200R45HL4BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,2 kA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

4500 V

Tipo de Encapsulado

Bandeja

Serie

FZ1200

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Modo de Canal

Reducción

Número de Elementos por Chip

3

Material del transistor

Si

COO (País de Origen):
HU
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT IHV-B de 4500 V, 1200 A y 190 mm de interruptor único con IGBT4 Trench/Fieldtop, 4 diodos controlados por emisor y placa base aislada de AlSiC. La mejor solución para sus aplicaciones industriales.

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