MOSFET Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1, VDSS 1700 V, ID 1,2 kA, Bandeja, 2elementos

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
277-191
Nº ref. fabric.:
FF1200XTR17T2P5BPSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

Dual N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,2 kA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

Bandeja

Serie

XHP

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Modo de Canal

Reducción

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

2

COO (País de Origen):
DE
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT dual XHP 2 de 1700 V y 1200 A con tecnología de interconexión .XT y TRENCHSTOP IGBT5 para una alta fiabilidad y robustez, combinadas con la disponibilidad del sistema y una larga vida útil para aplicaciones de tracción y eólicas de alta potencia.

Uniones de cobre para una gran capacidad de transporte de corriente
Sinterización de virutas para obtener la máxima capacidad de ciclos de potencia
Menor esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema superiores

Enlaces relacionados