MOSFET Infineon FF1800XTR17T2P5BPSA1, VDSS 1700 V, ID 1,8 kA, Bandeja, 2elementos

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Código RS:
277-192
Nº ref. fabric.:
FF1800XTR17T2P5BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

Dual N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,8 kA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Serie

XHP

Tipo de Encapsulado

Bandeja

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Modo de Canal

Reducción

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

SiC

COO (País de Origen):
DE
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT dual XHP 2 1700 V, 1800 A con tecnología de interconexión .XT y TRENCHSTOP IGBT5 para una alta fiabilidad y robustez, combinadas con la disponibilidad del sistema y una larga vida útil para aplicaciones de tracción y eólicas de alta potencia.

Uniones de cobre para una gran capacidad de transporte de corriente
Sinterización de virutas para obtener la máxima capacidad de ciclos de potencia
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