MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FZ1200R45HL4S7BPSA1, VDSS 4500 V, ID 1.2 kA, Bandeja, Reducción

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Código RS:
277-199
Nº ref. fabric.:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.2kA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

4500V

Encapsulado

Bandeja

Serie

FZ1200

Tipo de montaje

Chasis

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

2400kW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

2.95V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
HU
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT IHV-B de 4500 V, 1200 A y 190 mm de interruptor único con IGBT4 Trench/Fieldtop, 4 diodos controlados por emisor y placa base aislada de AlSiC. La mejor solución para sus aplicaciones industriales.

Alta densidad de potencia

Para diseños de inversores compactos

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