MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE022N06LM5CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-752
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,302 € | 11,51 € |
| 50 - 95 | 2,186 € | 10,93 € |
| 100 - 495 | 2,024 € | 10,12 € |
| 500 - 995 | 1,864 € | 9,32 € |
| 1000 + | 1,794 € | 8,97 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-752
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia diseñado para un alto rendimiento en fuentes de alimentación de modo conmutado, lo que garantiza la fiabilidad en aplicaciones exigentes. Diseñado dentro de la serie OptiMOS 5, proporciona una eficiencia excepcional y una baja resistencia de encendido, lo que lo convierte en una elección ideal para la rectificación síncrona. Con su construcción sin plomo y conforme con RoHS, el producto no solo cumple los últimos estándares ambientales, sino que también garantiza un rendimiento robusto en diversas condiciones. Este transistor dispone de gestión térmica avanzada y tiene calificación de avalancha, lo que garantiza un funcionamiento más seguro y durabilidad en entornos críticos. Su capacidad de accionamiento de nivel lógico permite una integración perfecta en una amplia gama de sistemas electrónicos, lo que ejemplifica su versatilidad y estabilidad de rendimiento.
Optimizado para una conversión de potencia de alta eficiencia
Baja resistencia de encendido para mejorar el rendimiento
Diseño sin plomo para cumplir con el medio ambiente
Prueba de avalancha para mayor fiabilidad
La unidad de nivel lógico simplifica la interfaz de baja tensión
Resistencia térmica para una gestión eficiente del calor
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