MOSFET Infineon IPDQ65R017CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 136 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-869
Nº ref. fabric.:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

136 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon incorpora la serie CoolMOS CFD7, diseñada para lograr una alta eficiencia en aplicaciones de conmutación resonante. Con una tensión de ruptura de 650 V, el producto destaca por su rendimiento térmico, lo que lo convierte en la opción ideal para entornos exigentes, como sistemas de servidores y telecomunicaciones, carga de vehículos eléctricos y aplicaciones solares. Su capacidad superior de conmutación dura y sus atributos de conmutación rápida proporcionan fiabilidad y seguridad en aplicaciones críticas. El dispositivo pretende mejorar la densidad de potencia al tiempo que garantiza un rendimiento excepcional en condiciones de carga ligera. Como tal, constituye una potente solución para los diseños contemporáneos de eficiencia energética.

El diodo de cuerpo ultrarrápido aumenta el rendimiento de conmutación
Optimizado para aplicaciones de puente completo con desplazamiento de fase
La gran resistencia térmica aumenta la eficiencia global
Diseño flexible con baja dependencia de la temperatura RDS
Admite tensiones de bus más altas para aumentar la densidad de potencia
Resistente a la conmutación dura para un funcionamiento fiable
Totalmente cualificado según las normas JEDEC

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