MOSFET Infineon IPQC60R017S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 30 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-893
Nº ref. fabric.:
IPQC60R017S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

600V CoolMOS

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Fabricado con la tecnología de vanguardia CoolMOS S7, este dispositivo ofrece una eficiencia energética excepcional y unas características de rendimiento de precio sobresalientes. El producto presenta un encapsulado PG HDSOP 22 compacto que admite una alta capacidad de corriente de impulso y un rendimiento térmico eficiente. Con su bajo valor RDS(on), garantiza unas pérdidas de conducción mínimas, lo que lo convierte en una opción excelente para relés de estado sólido, disyuntores y rectificación de líneas en diversas aplicaciones exigentes como la informática y las telecomunicaciones. Este MOSFET destaca por su funcionamiento fiable, un mayor rendimiento del sistema y un diseño robusto que admite requisitos de corriente elevados al tiempo que mantiene una larga vida útil.

Optimizado para una alta eficiencia en conmutación estática
Tamaño compacto para facilitar la integración
Alta capacidad de corriente de impulso para aplicaciones de potencia
La patilla Kelvin Source mejora el rendimiento de la conmutación
Cumple la norma MSL1 para un montaje sin juntas
Reduce la necesidad de voluminosos disipadores de calor
Tiempos de conmutación más rápidos que los de los dispositivos electromecánicos
Fiabilidad robusta en condiciones extremas

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