MOSFET Infineon IQE022N06LM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 151 A, PG-TSON-8 de 8 pines

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Código RS:
284-948
Nº ref. fabric.:
IQE022N06LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

151 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon cuenta con un transistor de potencia OptiMOS 5 está diseñado para ofrecer un rendimiento inigualable en fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, facilitando la rectificación síncrona y una gestión térmica excepcional. Con una tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, este dispositivo de canal N funciona eficazmente en diversas condiciones, garantizando fiabilidad y longevidad en aplicaciones exigentes. Diseñado para uso industrial, el producto garantiza un cumplimiento exhaustivo de las normas JEDEC, lo que lo hace idóneo para entornos exigentes. Además, su compacto encapsulado PG TSON 8 subraya su adaptabilidad a diseños con limitaciones de espacio, mientras que sus robustas características garantizan un flujo de potencia óptimo con una resistencia y una generación de calor mínimas, lo que mejora el rendimiento general del sistema.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento
Diseño de canal N de nivel lógico para mayor flexibilidad
La baja resistencia reduce la pérdida de potencia
Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad
Conforme a RoHS y libre de halógenos
100% resistente a las avalanchas
Adecuado para normas industriales estrictas

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