MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics PD57060-E, VDSS 65 V, ID 7 A, Mejora, PowerSO-10RF de 10 pines

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Código RS:
330-274
Nº ref. fabric.:
PD57060-E
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

65V

Serie

PD5

Encapsulado

PowerSO-10RF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.76Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

165°C

Altura

3.6mm

Longitud

14.35mm

Anchura

9.6 mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El transistor de potencia de RF de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de RF de efecto de campo lateral lateral, de canal N y fuente común. Está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha y alta ganancia. Funciona a 28 V en modo fuente común a frecuencias de hasta 1 GHz. El dispositivo cuenta con la excelente ganancia, linealidad y fiabilidad de la última tecnología LDMOS de ST montada en el primer encapsulado de potencia RF de plástico SMD auténtico, PowerSO-10RF. El rendimiento de linealidad superior del dispositivo lo convierte en una solución ideal para aplicaciones de estación base. El encapsulado de plástico PowerSO-10, diseñado para ofrecer una alta fiabilidad, es el primer encapsulado SMD de alta potencia aprobado por ST JEDEC. Se ha optimizado especialmente para las necesidades de RF y ofrece excelentes prestaciones de RF y facilidad de montaje. Las recomendaciones de montaje están disponibles en www.st.com/rf/ (busque la nota de aplicación AN1294).

Excelente estabilidad térmica

Configuración de fuentes comunes

Nuevo envase de plástico RF

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