MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics PD55003TR-E, VDSS 40 V, ID 2.5 A, Mejora, PowerSO-10RF de 10 pines

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Código RS:
330-270
Nº ref. fabric.:
PD55003TR-E
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PD5

Encapsulado

PowerSO-10RF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

31.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

165°C

Altura

3.6mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Longitud

15.65mm

Anchura

9.6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El transistor de potencia de RF de STMicroelectronics de la familia de plástico LdmoST de MOSFET lateral de modo de mejora de canal N y Está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de alta ganancia y banda ancha. Funciona a 12 V en modo de fuente común a frecuencias de hasta 1 GHz. El PD55003 cuenta con una excelente ganancia, linealidad y fiabilidad gracias a la última tecnología LDMOS de ST montada en el primer encapsulado de potencia RF de plástico SMD auténtico, el PowerSO-10RF. Su rendimiento de linealidad superior lo convierte en una solución ideal para las radios móviles de los automóviles.

Excelente estabilidad térmica

Configuración de fuentes comunes

POUT 3 W con ganancia de 17 dB a la frecuencia de 500 MHz o 12,5 V

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