MOSFET, N-Canal Microchip PD70224ILQ-TR, VDSS 74 V, ID 2 A, QFN de 40 pines

Código RS:: 333-012
Nº ref. fabric.:: PD70224ILQ-TR
Fabricante:: Microchip

MOSFET, N-Canal Microchip PD70224ILQ-TR, VDSS 74 V, ID 2 A, QFN de 40 pines

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Código RS:: 333-012
Nº ref. fabric.:: PD70224ILQ-TR
Fabricante:: Microchip

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	74V
	Serie	PD70224
	Encapsulado	QFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	40
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.26Ω
	Tensión directa Vf	192mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	125°C
	Longitud	6mm
	Altura	1mm
	Certificaciones y estándares	IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Anchura	8mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Microchip
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 74V
	Serie PD70224
	Encapsulado QFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 40
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.26Ω
	Tensión directa Vf 192mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 125°C
	Longitud 6mm
	Altura 1mm
	Certificaciones y estándares IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS
	Anchura 8mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - PD70224ILQ-TR

El pack Microchip Dual de rectificadores de puente completo basados en MOSFET. Contiene MOSFET de canal N de baja Rds 0,16Ω para una eficiencia global mucho mayor y una potencia de salida más elevada, especialmente cuando se utiliza en dispositivos alimentados (PD) para aplicaciones PoE. Todo el circuito de accionamiento de los MOSFET está en el chip, incluida una bomba de carga para accionar los MOSFET de canal N del lado alto.

Circuito activo con baja caída hacia delante para sustituir los puentes de diodos pasivos disipadores

Circuito de accionamiento autónomo para MOSFETs

Diseñado para soportar IEEE-802.3af / at / bt y PoH

MOSFET de canal N de 0,16 ohmios integrados para una resistencia total de 0,3 ohmios

Señales indicadoras de potencia presente para identificar la potencia del puente de 4 pares

MOSFET, N-Canal Microchip PD70224ILQ-TR, VDSS 74 V, ID 2 A, QFN de 40 pines

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