MOSFET, Tipo N-Canal Microchip VN3205N3-G, VDSS 50 V, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 333-225
- Nº ref. fabric.:
- VN3205N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | VN3205 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie VN3205 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de modo de mejora de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de la puerta de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida.
Sin averías secundarias
Requisitos de accionamiento de baja potencia
Facilidad de conexión en paralelo
CISS bajo y velocidades de conmutación rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integral
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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