Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ028N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 128 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-902
- Nº ref. fabric.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,105 € | 11,05 € |
| 100 - 240 | 1,05 € | 10,50 € |
| 250 - 490 | 0,972 € | 9,72 € |
| 500 - 990 | 0,895 € | 8,95 € |
| 1000 + | 0,861 € | 8,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-902
- Nº ref. fabric.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 128A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 128A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia StrongIRFET 2 30 V de Infineon en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. Cuenta con una RDS(on) de 2,8 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación. En comparación con la tecnología anterior, consigue una mejora de hasta el 40 % de la RDS(on), con una mejora de hasta el 60 % de la FOM y una excelente robustez.
Productos de uso general
Excelente robustez
Relación calidad/precio superior
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
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