MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS02MR12A8MA2BBPSA1, VDSS 1200 V, ID 390 A, HybridPACK Drive G2, Mejora

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Código RS:
349-031
Nº ref. fabric.:
FS02MR12A8MA2BBPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

390A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

HybridPACK Drive G2

Encapsulado

HybridPACK Drive G2

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

6.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

UL 94 V0, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 de Infineon es un módulo de potencia de puente B6 muy compacto con un encapsulado mejorado y optimizado para varias clases de potencia de inversores. Este módulo de potencia implementa el MOSFET CoolSiC Automotive de segunda generación de 1200 V, optimizado para aplicaciones de propulsión eléctrica, desde clases de potencia de automoción de gama media a alta hasta vehículos comerciales, de construcción y agrícolas de gama alta.

Diseño compacto

Alta densidad de potencia

Placa base PinFin de refrigeración directa

Cerámica Si3N4 de alto rendimiento

Directrices para el montaje de PCB y enfriador

Diodo sensor de temperatura integrado

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