MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS01MR08A8MA2LBCHPSA1, VDSS 750 V, ID 620 A, HybridPACK Drive G2, Mejora

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Código RS:
349-030
Nº ref. fabric.:
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

620A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

HybridPACK Drive G2

Serie

HybridPACK Drive G2

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.21mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

19 V

Tensión directa Vf

6.73V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

Lead-Free, RoHS, UL 94 V0

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
Este módulo HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 de Infineon es un módulo de potencia de puente B6 muy compacto con un encapsulado mejorado y optimizado para varias clases de potencia de inversores. Este módulo de potencia implementa el MOSFET CoolSiC Automotive de segunda generación de 750 V, optimizado para aplicaciones de propulsión eléctrica, desde clases de potencia de automoción de gama media a alta hasta vehículos comerciales, de construcción y agrícolas de gama alta.

Diseño compacto

Alta densidad de potencia

Placa base PinFin de refrigeración directa

Cerámica Si3N4 de alto rendimiento

Directrices para el montaje de PCB y enfriador

Diodo sensor de temperatura integrado

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