MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMTA65R060M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 8 pines
- Código RS:
- 349-060
- Nº ref. fabric.:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-060
- Nº ref. fabric.:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-LHSOF-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-LHSOF-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, por lo que es ideal para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Su avanzada tecnología proporciona una solución potente para conseguir una alta eficacia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
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