MOSFET, N-Canal Infineon IMTA65R040M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 8 pines
- Código RS:
- 349-057
- Nº ref. fabric.:
- IMTA65R040M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-057
- Nº ref. fabric.:
- IMTA65R040M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 242W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-LHSOF-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 242W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, por lo que es ideal para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Su avanzada tecnología proporciona una solución potente para conseguir una alta eficacia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
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Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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