Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP339N20NM6AKSA1, VDSS 200 V, ID 39 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-118
- Nº ref. fabric.:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-118
- Nº ref. fabric.:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Cuenta con una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción reducidas. Este MOSFET también presenta un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) para un rendimiento de conmutación superior y una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja para un funcionamiento eficiente. Está probado al 100 % contra avalanchas, lo que garantiza su robustez, y puede funcionar a una temperatura elevada de 175 °C, lo que lo hace fiable incluso en entornos exigentes.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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