Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP069N20NM6AKSA1, VDSS 200 V, ID 136 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-410
- Nº ref. fabric.:
- IPP069N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
8,34 €
(exc. IVA)
10,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 500 Envío desde el 28 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,34 € |
| 10 - 99 | 7,52 € |
| 100 - 499 | 6,92 € |
| 500 - 999 | 6,43 € |
| 1000 + | 5,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-410
- Nº ref. fabric.:
- IPP069N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 136A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 136A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para ofrecer gran eficiencia en aplicaciones de potencia. Entre sus características principales se incluyen una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción, y un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) para un rendimiento de conmutación superior. También tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficacia y reduce las pérdidas por conmutación. El dispositivo está dotado de una alta clasificación en energía de avalancha, por lo que es apto para condiciones exigentes, y puede funcionar a una temperatura elevada de 175 °C, una garantía de fiabilidad incluso en entornos difíciles.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia VDSS 200 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 600 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines