MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO60N030M9, VDSS 600 V, ID 79 A, TO-LL de 8 pines, config. Canal N

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Código RS:
358-978
Nº ref. fabric.:
STO60N030M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Frecuencia de Funcionamiento

1 MHz

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Potencia de salida

255W

Serie

STO60

Encapsulado

TO-LL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Canal N

Longitud

10mm

Altura

2.4mm

Anchura

11.88 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la innovadora tecnología de superunión MDmesh M9, adecuada para MOSFET de media/alta tensión. La tecnología M9 basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El producto resultante tiene una de las resistencias de conexión y valores de carga de puerta más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia extraordinaria.

FOM muy bajo

Clasificación VDSS más alta

Mayor capacidad dv por dt

Fácil de conducir

100 % a prueba de avalanchas

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