MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO60N030M9, VDSS 600 V, ID 79 A, TO-LL de 8 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 358-978
- Nº ref. fabric.:
- STO60N030M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 358-978
- Nº ref. fabric.:
- STO60N030M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 1 MHz | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 79A | |
| Potencia de salida | 255W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STO60 | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 11.88 mm | |
| Longitud | 10mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Frecuencia de Funcionamiento 1 MHz | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 79A | ||
Potencia de salida 255W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STO60 | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 11.88 mm | ||
Longitud 10mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la innovadora tecnología de superunión MDmesh M9, adecuada para MOSFET de media/alta tensión. La tecnología M9 basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El producto resultante tiene una de las resistencias de conexión y valores de carga de puerta más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia extraordinaria.
FOM muy bajo
Clasificación VDSS más alta
Mayor capacidad dv por dt
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalanchas
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