MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO60N045DM9, VDSS 600 V, ID 55 A, TO-LL de 8 pines, config. Canal N

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Código RS:
358-979
Nº ref. fabric.:
STO60N045DM9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Frecuencia de Funcionamiento

1 MHz

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Potencia de salida

255W

Serie

STO60

Encapsulado

TO-LL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

11.88mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.4mm

Anchura

10 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la innovadora tecnología de superunión MDmesh DM9, adecuada para MOSFET de media/alta tensión. La tecnología DM9, basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El diodo con carga de recuperación (Qrr), tiempo (trr) y RDS(on) muy bajos hace que este MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida esté adaptado a las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y a los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

FOM muy bajo

Baja capacitancia y resistencia de entrada

100 % a prueba de avalanchas

Robustez dv por dt extremadamente alta

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