MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia BSH105,215, VDSS 20 V, ID 1.05 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
509-273
Nº ref. fabric.:
BSH105,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.05A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

BSH105

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

417mW

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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