Conjuntos MOSFET Microchip, Canal N, Canal P-Canal TC7920K6-G, VDSS 200 V, ID 1.8 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.
- Código RS:
- 598-568
- Nº ref. fabric.:
- TC7920K6-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
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- Código RS:
- 598-568
- Nº ref. fabric.:
- TC7920K6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal N, Canal P | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | TC7920 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Configuración de transistor | Pares de canales N y P aislados eléctricamente (2 pares) | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 4.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal N, Canal P | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie TC7920 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Configuración de transistor Pares de canales N y P aislados eléctricamente (2 pares) | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 4.15 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de diodos de drenaje de salida de alta tensión integrados, resistencias de puerta a fuente y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, lo que los convierte en ideales para aplicaciones de pulsador de alta tensión. Estos pares de MOSFET complementarios, de alta velocidad, alta tensión, con abrazadera de puerta utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, junto con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo característicos de los dispositivos MOS.
Resistencia de puerta a fuente integrada
Diodo Zener de puerta a fuente integrado
Umbral bajo, baja resistencia encendido
Capacitancia de entrada y salida baja
Velocidad de conmutación rápida
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