Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC8220K6-G, VDSS 200 V, ID 2.3 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.
- Código RS:
- 598-776
- Nº ref. fabric.:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 3300 unidades)*
10.622,70 €
(exc. IVA)
12.853,50 €
(inc.IVA)
Añade 3300 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 31 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 3,219 € | 10.622,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 598-776
- Nº ref. fabric.:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | TC8220 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Configuración de transistor | Dos pares de canales N y P | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie TC8220 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Configuración de transistor Dos pares de canales N y P | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de resistencias de puerta a fuente integradas y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, ideales para aplicaciones de pulso de alta tensión. Estos pares complementarios de MOSFET de canal N y canal P con abrazadera de puerta de alta velocidad y alta tensión utilizan una estructura DMOS vertical avanzada junto con el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, al tiempo que proporciona la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS.
Resistencia de puerta a fuente integrada
Diodo Zener de puerta a fuente integrado
Umbral bajo, baja resistencia encendido
Capacitancia de entrada y salida baja
Velocidad de conmutación rápida
Enlaces relacionados
- Conjuntos MOSFET Microchip Canal P-Canal TC7920K6-G ID 1.8 A Mejora de 12 pines config.
- Conjuntos MOSFET Microchip Canal N-Canal TC2320TG-G SOIC 1, config. Mosfet
- Conjuntos MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 2.3 A Mejora de 6 pines config. Doble
- Conjuntos MOSFET Microchip Canal N-Canal TC6320K6-G ID 2 A Mejora de 8 pines config.
- MOSFET Nexperia DFN 1, config. Simple
- MOSFET onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- Conjuntos MOSFET Microchip VDSS 240 V SOIC 1, config. Doble