Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC8220K6-G, VDSS 200 V, ID 2.3 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.
- Código RS:
- 598-776
- Nº ref. fabric.:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 3,219 € | 10.622,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 598-776
- Nº ref. fabric.:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | TC8220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Dos pares de canales N y P | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie TC8220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Dos pares de canales N y P | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de resistencias de puerta a fuente integradas y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, ideales para aplicaciones de pulso de alta tensión. Estos pares complementarios de MOSFET de canal N y canal P con abrazadera de puerta de alta velocidad y alta tensión utilizan una estructura DMOS vertical avanzada junto con el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, al tiempo que proporciona la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS.
Resistencia de puerta a fuente integrada
Diodo Zener de puerta a fuente integrado
Umbral bajo, baja resistencia encendido
Capacitancia de entrada y salida baja
Velocidad de conmutación rápida
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