Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

534,00 €

(exc. IVA)

645,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 9000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 30000,178 €534,00 €
6000 +0,169 €507,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-4334
Nº ref. fabric.:
BSL308CH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Conjuntos MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

57mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS

Anchura

1.6 mm

Longitud

2.9mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS P3 + OptiMOS 2: Un MOSFET de canal n y un MOSFET de potencia de canal p dentro del mismo encapsulado es una solución de alta eficiencia para generación de energía (por ejemplo, micro inversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico). Está clasificado como Avalanche

Es 100 % libre de plomo y conforme con RoHS

Enlaces relacionados