Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal BSL308CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 1,
- Código RS:
- 214-4335
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-398
- Nº ref. fabric.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
16,25 €
(exc. IVA)
19,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 11.250 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,325 € | 16,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4335
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-398
- Nº ref. fabric.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 57mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.6W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 57mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.6W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 1.6mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Matrices MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A - BSL308CH6327XTSA1
Este dispositivo de matriz MOSFET proporciona transistores de canal P y canal N emparejados en un encapsulado compacto de montaje en superficie para funciones de conmutación y gestión de potencia en electrónica industrial y de automoción. Se suministra en un formato TSOP de 6 contactos diseñado para la integración a nivel de placa y el funcionamiento en un amplio rango ambiental, compatible con el comportamiento típico de carga de puerta adecuado para tareas de conmutación rápida.
Características y ventajas:
• La baja Rds(on) de 57 mΩ reduce las pérdidas por conducción y la generación de calor
• La corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A permite un manejo moderado de la carga
• Vds máximo de 30 V admite arquitecturas de sistema de 30 V
• La tensión de fuente de puerta máxima de 20 V protege la integridad de la puerta en caso de transitorios
• La tensión directa de 1,1 V mejora la eficiencia en las vías de conducción del diodo
• Valor nominal de 150 °C permite un funcionamiento fiable a temperaturas de unión elevadas
• La corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A permite un manejo moderado de la carga
• Vds máximo de 30 V admite arquitecturas de sistema de 30 V
• La tensión de fuente de puerta máxima de 20 V protege la integridad de la puerta en caso de transitorios
• La tensión directa de 1,1 V mejora la eficiencia en las vías de conducción del diodo
• Valor nominal de 150 °C permite un funcionamiento fiable a temperaturas de unión elevadas
Aplicaciones
• Adecuado para módulos de control de carrocería de automoción que requieren conformidad con AEC
• Ideal para etapas de conmutación de convertidores dc-dc de alta densidad
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías en vehículos y equipos
• Se puede utilizar para la conmutación de controlador de motor de lado bajo o de lado alto
• Adecuado para la distribución de potencia compacta en PCB de montaje en superficie
• Ideal para etapas de conmutación de convertidores dc-dc de alta densidad
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías en vehículos y equipos
• Se puede utilizar para la conmutación de controlador de motor de lado bajo o de lado alto
• Adecuado para la distribución de potencia compacta en PCB de montaje en superficie
¿Qué tipo de montaje es necesario para el montaje de la placa?
Se trata de un dispositivo de montaje en superficie en un encapsulado TSOP de 6 contactos diseñado para soldadura por reflujo a patrones de tierra de PCB estándar.
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta un máximo de 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.
¿Hay elementos de transistor separados por chip?
Hay un elemento por chip configurado como una disposición de transistor doble que proporciona funciones de canal P y N.
¿Qué estándares y conformidad de material se indican?
El componente cumple la directiva RoHS y está fabricado con materiales conformes a la norma IEC 61249‐2‐21.
Enlaces relacionados
- Conjuntos MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 2.3 A Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET ID 5.5 A TSOP de 6 pines
- MOSFET ID 5.5 A TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TSOP de 6 pines