Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal BSL308CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 1,

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Código RS:
214-4335
Número de artículo Distrelec:
304-39-398
Nº ref. fabric.:
BSL308CH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Conjuntos MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

57mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1mm

Longitud

2.9mm

Anchura

1.6 mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS P3 + OptiMOS 2: Un MOSFET de canal n y un MOSFET de potencia de canal p dentro del mismo encapsulado es una solución de alta eficiencia para generación de energía (por ejemplo, micro inversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico). Está clasificado como Avalanche

Es 100 % libre de plomo y conforme con RoHS

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