MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND01K1-G, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, SOT-23-5 de 5

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Código RS:
598-897
Nº ref. fabric.:
LND01K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

FET DMOS de canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

9V

Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Modo de agotamiento

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Tensión directa Vf

1.8V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

ISO/TS‑16949, RoHS

Altura

1.3mm

Longitud

3.05mm

Anchura

1.75 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de agotamiento de Microchip es un transistor de modo de agotamiento de bajo umbral (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS lateral avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.

Resistencia de conexión baja

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Alta impedancia de entrada y alta ganancia

Necesidad de accionamiento de baja potencia

Facilidad de paralelismo

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