MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND01K1-G, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, SOT-23-5 de 5
- Código RS:
- 598-897
- Nº ref. fabric.:
- LND01K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 9V | |
| Serie | LND01 | |
| Encapsulado | SOT-23-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 1.3mm | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 9V | ||
Serie LND01 | ||
Encapsulado SOT-23-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 1.3mm | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de agotamiento de Microchip es un transistor de modo de agotamiento de bajo umbral (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS lateral avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.
Resistencia de conexión baja
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
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