MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RV4C060ZPHZGTCR1, VDSS -20 V, Mejora, DFN1616-6W de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
646-539
Nº ref. fabric.:
RV4C060ZPHZGTCR1
Fabricante:
ROHM
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Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

DFN1616-6W

Serie

RV4

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

0.8mm

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de ROHM de canal P con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de pequeña señal de 20 V y 6 A es cien por cien de conmutación inductiva sin sujeción, probado con flanco de mesa húmedo para inspección óptica automatizada y garantía de pieza de electrodo de ciento treinta micrómetros.

Baja resistencia de conexión

Envase pequeño de alta potencia

Accionamiento de baja tensión (1,5 V)

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