MOSFET sencillos, N-Canal onsemi NTTFS4D9N04XMTAG, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, WDFN8 de 8 pines
- Código RS:
- 648-506
- Nº ref. fabric.:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 648-506
- Nº ref. fabric.:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
La última tecnología MOSFET de potencia de nivel de puerta estándar de 40 V de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controlador de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.
RDS(on) baja
Capacitancia baja
Pequeña huella de 3,3 x 3,3 mm
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