MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay SQ4940CEY-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
653-183
Nº ref. fabric.:
SQ4940CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQ4940CEY

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

4 mm

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N doble de grado de automoción de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento. Funciona a una tensión de fuente de drenaje de 40 V y puede resistir temperaturas de hasta 175 °C, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes. Este dispositivo está construido con tecnología TrenchFET y se suministra en un encapsulado SO-8 compacto.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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