MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 653-184
- Nº ref. fabric.:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-184
- Nº ref. fabric.:
- SQ4940CEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQ4940CEY | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQ4940CEY | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N doble de grado de automoción de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento. Funciona a una tensión de fuente de drenaje de 40 V y puede resistir temperaturas de hasta 175 °C, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes. Este dispositivo está construido con tecnología TrenchFET y se suministra en un encapsulado SO-8 compacto.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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