MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-6, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK de 6 pines

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Código RS:
719-655
Nº ref. fabric.:
STH345N6F7-6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

397A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

H2PAK

Serie

STH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.3mm

Altura

4.7mm

Anchura

10.4mm

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

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