MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-6, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK de 6 pines

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Código RS:
719-655
Nº ref. fabric.:
STH345N6F7-6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

397A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STH

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.4 mm

Longitud

9.3mm

Altura

4.7mm

COO (País de Origen):
CN

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