MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ182ER-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 222 A, Mejora, PowerPack de 10 pines

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Código RS:
735-244
Nº ref. fabric.:
SQJ182ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

222A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPack

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0061Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

93nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

7.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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