MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ186ELR-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, PowerPack de 10 pines

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Código RS:
735-276
Nº ref. fabric.:
SQJ186ELR-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPack

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0296Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

7.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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