Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1, VDSS 2300 V, ID 1335 A, AG-XHP2K33, Mejora de 15 pines,
- Código RS:
- 762-885
- Nº ref. fabric.:
- FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 762-885
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1335A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2300V | |
| Encapsulado | AG-XHP2K33 | |
| Serie | XHP 2 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 15 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.19mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 6.25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.3μC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 140mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1335A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2300V | ||
Encapsulado AG-XHP2K33 | ||
Serie XHP 2 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 15 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.19mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 6.25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.3μC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 140mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El módulo de medio puente MOSFET CoolSiC de Infineon tiene una tensión nominal de 2300 V y admite alta densidad de corriente. Dispone de placa base AlSiC para mayor capacidad de ciclo térmico y altas distancias de fuga y separación.
Diseño de baja inducción
Bajas pérdidas por conmutación
Alta densidad de potencia
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