MOSFET de automoción, Canal P-Canal Vishay SQ4961CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -4.4 A, MOSFET, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
790-420
Nº ref. fabric.:
SQ4961CEY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de automoción

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.085Ω

Modo de canal

MOSFET

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de automoción, con una configuración de canal P doble diseñada para gestionar eficazmente tensiones de hasta 60 V mientras funciona en condiciones de temperatura extremas de 175 °C.

Certificación AEC Q101 para fiabilidad en automoción

Las pruebas 100 % R y UIS garantizan un funcionamiento constante

La configuración de canal P doble aumenta la flexibilidad del diseño

La baja resistencia en estado activo mejora la eficiencia energética

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