MOSFET de automoción, Canal N-Canal Vishay SQJQ190E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 25 A, MOSFET, PowerPAK 8 x 8 de 8 pines

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Código RS:
790-426
Nº ref. fabric.:
SQJQ190E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET de automoción

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

MOSFET

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de canal N de Vishay ofrece un rendimiento robusto para aplicaciones de automoción, diseñado para manejar alta corriente y tensión con eficiencia. Su estructura avanzada garantiza la fiabilidad en entornos exigentes.

Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de 200 V

Certificación AEC Q101 para normas de automoción

Capaz de corrientes de drenaje continuas de hasta 95 A

Admite una temperatura de unión máxima de 175 °C

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