MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIRS5100EPW-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 203 A, Modo de mejora, P de 8 pines

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Código RS:
829-344
Nº ref. fabric.:
SIRS5100EPW-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

203A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

P

Serie

SIR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0027Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

205W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.15mm

Altura

1.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un alto rendimiento para aplicaciones que requieren una conmutación eficiente. Con su diseño avanzado, permite reducciones significativas en la pérdida de potencia y una gestión térmica general mejorada.

Proporciona una tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V, lo que garantiza un funcionamiento fiable

Alcanza una baja resistencia en estado activo, lo que minimiza la pérdida de potencia durante la conducción

Ofrece una corriente de drenaje continua de hasta 203 A, adecuada para demandas de alta potencia

Dispone de una estructura sin plomo y sin halógenos para cumplir con las normativas ambientales

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