MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SIR680ADP-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 125 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-343
- Nº ref. fabric.:
- SIR680ADP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | P | |
| Serie | SIR | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00288Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 1.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado P | ||
Serie SIR | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00288Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 1.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación eficientes, con un diseño compacto que optimiza el uso del espacio y el rendimiento térmico en diseños de circuitos.
MOSFET de 80 V de canal N con tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento superior
La clasificación R-DS(on) muy baja reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento
La capacidad de corriente de drenaje pulsado de 300 A admite aplicaciones exigentes
Las características térmicas mejoradas garantizan la fiabilidad a temperaturas elevadas
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