MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIZF458LDT-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 34.6 A, Modo de mejora, PowerPAIR 3 x 3FS de 8 pines
- Código RS:
- 847-936
- Nº ref. fabric.:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.020Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.30mm | |
| Anchura | 3.30mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.020Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.30mm | ||
Anchura 3.30mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
El MOSFET de canal N doble de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia, sirviendo principalmente en aplicaciones de conmutación que requieren alta fiabilidad y rendimiento en condiciones de tensión variables.
Funciona con una tensión máxima de drenaje-fuente de 70 V para un rendimiento robusto
Optimizado para configuraciones de ciclo de trabajo del 50 %, lo que mejora la eficiencia en la conmutación
Utiliza tecnología flip chip, que ofrece un diseño térmico superior para una mejor disipación del calor
100 % probado para R y UIS para garantizar la fiabilidad en aplicaciones críticas
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