MOSFET, Doble N-Canal Vishay SIZF5300DT-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 125 A, Mejora, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines
- Código RS:
- 736-656
- Nº ref. fabric.:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00351Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00351Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N doble de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones, lo que proporciona un rendimiento térmico y una capacidad de conmutación superiores.
La tecnología TrenchFET Gen V optimiza la eficiencia y el rendimiento
La configuración de canal n doble simétrica permite diseños de circuitos versátiles
Los MOSFET de lado alto y lado bajo admiten aplicaciones de ciclo de trabajo del 50 %
Las pruebas exhaustivas garantizan un funcionamiento fiable en condiciones rigurosas
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