MOSFET, Doble canal N-Canal Vishay SIZF456LDT-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAIR 3 x 3FS de 8 pines

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Código RS:
736-357
Nº ref. fabric.:
SIZF456LDT-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Doble canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

SIZF456LDT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0016Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece una funcionalidad de canal N doble de alto rendimiento, lo que proporciona una gestión térmica eficiente mediante la tecnología Flip chip para mejorar la disipación térmica. Este dispositivo está diseñado específicamente para aplicaciones exigentes, como convertidores reductores síncronos y circuitos de telecomunicaciones dc/dc.

Diseño robusto con una corriente nominal de drenaje continuo de 42,5 A

Estabilidad térmica garantizada con una resistencia máxima de unión a la atmósfera de 28 °C/W

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