Nº ref. fabric.

MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config.

Código RS:: 252-0294
Nº ref. fabric.:: SIZF5302DT-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config.

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Código RS:: 252-0294
Nº ref. fabric.:: SIZF5302DT-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET doble canal N de 30 V (D-S)
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PowerPAIR 3 x 3FS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	12
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0032Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd	48.1W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET doble canal N de 30 V (D-S)
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PowerPAIR 3 x 3FS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 12
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0032Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd 48.1W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIZF5302DT-T1-RE3

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

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MOSFET doble canal N de 30 V (D-S) Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config.

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