Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código RS:: 178-3944P
Nº ref. fabric.:: SiZ350DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:: 178-3944P
Nº ref. fabric.:: SiZ350DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay Siliconix
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PowerPAIR 3 x 3
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Disipación de potencia máxima Pd	16.7W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.1nC
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3 mm
	Altura	0.75mm
	Longitud	3mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay Siliconix
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PowerPAIR 3 x 3
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Disipación de potencia máxima Pd 16.7W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3 mm
	Altura 0.75mm
	Longitud 3mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

MOSFET de lado alto y de lado bajo que ofrecen una combinación

optimizada para un ciclo de trabajo de un 50 %

FOM RDS - Qg y RDS - Qgd optimizada que mejora

la eficacia para conmutación de alta frecuencia

APLICACIONES

Reductor síncrono

Conversión dc/dc

Medio puente

POL

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2, config.

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