Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.7 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 204-7212
Nº ref. fabric.:: SiZ340ADT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.7 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.509,00 €

(exc. IVA)

1.827,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,503 €	1.509,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 204-7212
Nº ref. fabric.:: SiZ340ADT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	69.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	SiZ340ADT
	Encapsulado	PowerPAIR 3 x 3
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0094Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.1nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	31W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	3mm
	Altura	0.75mm
	Anchura	3 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 69.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie SiZ340ADT
	Encapsulado PowerPAIR 3 x 3
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0094Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.1nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 31W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 3mm
	Altura 0.75mm
	Anchura 3 mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiZ340ADT-T1-GE3

Los MOSFET de canal N doble Vishay 30 V (D-S) son una etapa de potencia MOSFET de medio puente integrado PowerPAIR.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

100 % RG y prueba UIS

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.7 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble

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