MOSFET, Canal N-Canal onsemi BSS138-G, VDSS 50 V, ID 0.22 A, SOT-23-3 de 3 pines

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Código RS:
838-663
Nº ref. fabric.:
BSS138-G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT-23-3

Serie

BSS

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.3mm

Altura

1mm

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de onsemi está diseñado para un rendimiento eficiente en aplicaciones de baja tensión. Proporciona capacidades de conmutación fiables y resistencia de estado activo mínima para una gran variedad de usos electrónicos.

Admite una corriente de drenaje continua de 0,22 A y una corriente de drenaje pulsado de 0,88 A

Presenta una baja resistencia de conexión de 3,5 Ω a una tensión de puerta de 10 V

Funciona eficazmente en un intervalo de temperaturas de –55 a +150 °C

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