MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi FDV301N, VDSS 25 V, ID 0.22 A, N, SOT-23-3 de 3 pines
- Código RS:
- 765-307
- Nº ref. fabric.:
- FDV301N
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 765-307
- Nº ref. fabric.:
- FDV301N
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SOT-23-3 | |
| Serie | FDV3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.35W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SOT-23-3 | ||
Serie FDV3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.49nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.35W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N de onsemi está diseñado para aplicaciones de baja tensión. Este dispositivo avanzado aprovecha la tecnología DMOS G S patentada para lograr una resistencia en estado activo mínima, lo que lo convierte en una elección ideal para sustituir varios transistores digitales. Elimina la necesidad de resistencias de polarización, lo que agiliza el diseño de circuitos al ofrecer una única solución FET para diversas aplicaciones digitales, lo que en última instancia mejora la eficiencia y la fiabilidad en dispositivos electrónicos.
Admite una corriente de drenaje continua de 0,22 A con un pico de 0,5 A
Dispone de un bajo R DS(on) de solo 4 ohmios a 4,5 V, lo que garantiza un manejo eficiente de la potencia
Diseñado para funcionar directamente en circuitos de 3 V, lo que permite una integración perfecta en sistemas de baja tensión
Capaz de reemplazar varios transistores digitales NPN, lo que simplifica el número de componentes en los diseños
Cumple los estándares sin plomo y sin haluros, lo que favorece diseños respetuosos con el medio ambiente
La resistencia térmica de 357 °C/W garantiza un rendimiento fiable en condiciones de temperatura variables
La tensión nominal máxima de drenaje a fuente de 25 V ofrece una funcionalidad robusta en diversas aplicaciones
El rango de tensión de umbral de puerta garantiza un rendimiento constante en todo el espectro de funcionamiento
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