MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 110-7458
Nº ref. fabric.:: IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB117N20NFDATMA1, VDSS 200 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

6 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Tiras de 2)

5,895 €

(exc. IVA)

7,133 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
2 - 8	5,895 €	11,79 €
10 - 38	5,085 €	10,17 €
40 - 98	4,53 €	9,06 €
100 - 198	4,24 €	8,48 €
200 +	4,035 €	8,07 €

*precio indicativo

Código RS:: 110-7458
Nº ref. fabric.:: IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ FD

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS FD
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	65 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+170 °C
Ancho	9.45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	4.57mm