MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 84 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4732
- Nº ref. fabric.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
520,00 €
(exc. IVA)
632,00 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,65 € | 520,00 € |
| 1600 + | 0,617 € | 493,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4732
- Nº ref. fabric.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Tecnología Advanced Process
Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja
Sin plomo, Conformidad RoHS