MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	151 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	4.57mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	37 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.36mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Serie	CoolMOS P6
Tensión de diodo directa	0.9V
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C